જો આ સેમિકન્ડક્ટરનો લેટીસ અચળાંક ઘટાડવામાં આવે,તો નીચેનામાંથી કયું સાચું છે?

કાર્બન,સિલિકોન અને જર્મેનિયમ દરેક પાસે ચાર વેલેન્સ ઇલેક્ટ્રોન છે. આ પદાર્થોમાં વેલેન્સ બેન્ડ અને કન્ડક્શન બેન્ડ વચ્ચે રહેલા એનર્જી બેન્ડ ગેપ અનુક્રમે $(E_g)_C, (E_g)_{Si}$ અને $(E_g)_{Ge}$ છે. નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?

$0\, K$ તાપમાને $N$ પરમાણુઓ ધરાવતા $Si$ અને $Ge$ ના ઉર્જા સ્તરો દોરીને સમજાવો.

નીચેનામાંથી માત્ર ખોટું વિધાન પસંદ કરો:

$0 \,K$ તાપમાને $Ge$ સ્ફટિક માટે ફોરબિડન એનર્જી ગેપ (અવરોધક ઉર્જા ગાળો) કેટલો હોય છે ($\,eV$ માં)?

ઇન્સ્યુલેટર્સ (અવાહકો) ના એનર્જી બેન્ડ ડાયાગ્રામમાં,બેન્ડ ગેપ અને કન્ડક્શન બેન્ડ અનુક્રમે કેવા હોય છે?